SLED光源的辐射特性介于半导体激光器和半导体发光二极管之间。随着陀螺仪、光学相干断层扫描(OCT)、分布式光纤传感和的发展,SLED推出了一系列产品。基础包括光源覆盖的波长范围和光波的偏振特性。特别是随着干涉式光纤传感器的发展,光源的偏振特性受到了越来越广泛的关注。根据光源的偏振特性,SLED光源已经发展到两个,即高偏振和低偏振SLED光源。武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求。D型宽带光源是低相干性的宽带光源,基于两个容易切换的中心波长的单模光纤耦合SLD模块。SLD模块控制器的设计确保了光源的操作的稳定性。我们可以根据客户的要求订制宽带光源,所有的光源都支持220V和110V交流转换,体积为:254 × 158 × 318 mm,重量为:6.0 kg,测试温度范围为:0 °C - +40 °C武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求
SLD,Super-Luminescent l Diodes,即超辐射发光二极管光源。其器件结构与激光二极管LD类似,包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。在正向电流注入下,有源层内反转分布的电子从导带跃迁到价带或杂质能级时,与空穴复合而释放出光子。此时,较弱的自发辐射光,进入到光波导,获得增益,进行光放大,后输出。
因此可以将SLD看作是一种不需要入射信号的半导体光放大器。
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